罗姆与台积电合作携手研发车载氮化镓功率器件
罗姆官网消息，12月10日，全球半导体巨头罗姆与台积电宣布深化合作，共同开发车载氮化镓功率器件。双方将整合罗姆的器件设计技术与台积电领先的GaN-on-Silicon工艺，重点突破电动汽车的车载充电器和逆变器应用。此次合作基于罗姆2023年成功推出的 650V EcoGaN™系列产品，该产品已用于消费电子及工业设备。
安森美买下晶圆厂，业界猜测可能用于生产氮化镓器件
外媒消息，2024年12月13日，安森美以及2000万美元价格购置位于德威特一家空置芯片工厂，并计划雇佣100+员工，业界猜测可能用于生产氮化镓器件。
英诺赛科港股上市
2024年12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”或“公司”）正式在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。这是国内半导体行业的一件大事。作为一家专注于氮化镓（GaN）功率器件研发、生产与销售的企业，英诺赛科的上市不仅是企业自身发展的重要里程碑，更标志着国内第三代半导体技术加速走向国际市场。
2025年1月
德州仪器推出新一代的氮化镓技术，助力提升光伏逆变器设计性能
2025年1月，Ti德州仪器就如何采用氮化镓技术来提升光伏逆变器设计性能开展了一个研讨会，在此次研讨会中展示了三个基于TI氮化镓技术的光伏系统参考设计，并重点介绍了TIDA-010933和TIDA-010938两个逆变器设计。分别可满足家用储能系统的需求和更大功率的光伏系统。
另外，德州仪器还推出了两款100V集成式氮化镓功率模块：LMG20004R和LMG3000R017。这些模块集成了驱动、欠压保护和自举电路，能够显著简化系统设计并提高功率密度。
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丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆
1月8日，丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆，企采用Na-flux工艺解决大尺寸单晶生长难题。该衬底用于垂直GaN晶体管，性能优于市售衬底。该项目获日本环境省支持，此前已量产1500V横向GaN 器件用于太阳能发电，此次突破为高功率电子设备提供核心器件支撑。
MACOM扩建氮化镓晶圆厂
1月14日，美企MACOM于宣布投资3.45亿美元，对马萨诸塞州和北卡罗来纳州的半导体工厂进行全面升级。马萨诸塞州工厂将扩建洁净室，升级4英寸晶圆产线并引入6英寸碳化硅基氮化镓技术。
2025年2月
龙腾半导体获西安控股追加投资，加速推进8英寸功率半导体项目二期建设
据“西安发布”消息，2025年2月，西安投资对龙腾半导体追加股权投资，全力支持其8英寸功率半导体器件制造项目二期晶圆产线建设进程。
英诺赛科功率TO247-4L E-Mode合封氮化镓新品
2025年2月，英诺赛科宣布发布新产品，其采用TO-247-4L 封装，集成栅极驱动和短路保护的 GaN功率IC，适用于高功率密度和高效率的大功率应用。
ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范围为 22mΩ~59mΩ（最大25C）。ISG612xTD系列采用精密Vgs栅极驱动器、快速短路保护和 TO247-4L 封装，具有出色的热性能。这些配置使系统设计人员能够实现具有 Titanium Plus 效率的高频开关，功率密度比传统方案高2~3倍。
ROHM罗姆推出650V EcoGaN Power Stage IC
充电头网2月1日消息，罗姆公司推出的650V EcoGaN Power Stage IC是专为数据服务器、工业设备以及消费电子设备中的AC适配器等一次侧电源开发的功率级集成电路。该产品集成了650V的GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），并通过专用的栅极驱动器进一步发挥GaN HEMT的性能。同时，产品增加了新的功能和外围元件，能够满足不同应用场景的需求。EcoGaN IC的设计不仅提升了整体系统的性能，还在体积和功耗方面表现出色，尤其适用于需要高效功率管理的设备。
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英集芯推出Eco-Step PFC系列100W氮化镓电源方案
充电头网2月14日消息，英集芯推出了一款基于降压PFC和QR反激架构设计的100W氮化镓电源DEMO，该DEMO基于自家IP2015+IP2006HT+IP2028+IP2723TH全套方案进行设计，支持90-264V宽电压输入以及100W输出，待机功耗小于150mW，效率满足CoC_V5_Tier能效要求。标志着在大功率电源领域，英集芯拥有为客户提供端到端一站式解决方案的能力。
英飞凌晶圆厂获9.2亿欧元补贴
当地时间2月20日，欧盟委员会批准总额为9.2亿欧元的《欧洲芯片法案》补贴，用支援于英飞凌在德国德累斯顿建设的功率半导体和模拟/混合信号组件工厂。
英诺赛科正式进入中国功率器件市值前三强！
截至2025年2月24日，英诺赛科达486.59亿元，成功跻身中国功率器件市值前三强。英诺赛科的异军突起，绝非偶然。在全球半导体产业加速变革的浪潮中，功率器件市场作为关键领域，竞争本就异常激烈。华润微凭借深厚的技术积累和广泛的市场布局，一直稳坐行业头部；士兰微也以持续的创新和对市场的精准把握，在市场中占据着重要地位。而英诺赛科能在众多竞争对手中脱颖而出，成功闯入市值前三，背后是其多年来在技术研发、产能提升、市场拓展等多方面的精心布局与不懈努力。这不仅是英诺赛科自身发展的重大里程碑，更是中国功率器件行业发展的一个重要转折点，预示着行业将迎来更为激烈的竞争与全新的发展格局。
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东科推出200W AI PC一站式氮化镓电源解决方案，零噪音与高效兼得
充电头网2月28日消息，东科半导体推出了一站式 200W AI PC电源解决方案，基于PFC芯片DK3603AG、AHB芯片DK8718AD与同步整流芯片DK5V100R10ST1三大核心组件，实现了高效率、高密度与零噪音的突破。其技术路线直击行业痛点，不仅适配AI PC的高算力需求，更为未来智能设备的电源设计树立了新标杆。在AI驱动的高功率时代，东科凭借全链自主技术，正加速推动电源系统的迭代升级。
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英诺赛科推出100V GaN新品，改写AI与48V电源应用规则！
充电头网2月28日消息，英诺赛科近期推出的100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，不仅是全球首个实现大规模量产的100V级GaN解决方案，更通过双面散热封装与优化设计，重新定义了电源系统的性能边界，为AI服务器及48V基础设施的高效能源转换提供了全新解决方案。
En-FCLGA封装通过双面散热架构与低寄生参数设计，成功解决了高功率密度场景下的效率与可靠性矛盾。从技术参数看，3.5mΩ级导通电阻、7nC级栅极电荷以及42nC输出电荷的组合，使该芯片在48V总线架构中展现出显著的性能优势。相较于现有硅基方案，该器件不仅可以将功率密度提升约20%，更通过零反向恢复特性降低了高频谐振风险，为AI服务器电源、太阳能MPPT及电机驱动等场景提供了更优的半导体基础。
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2025年3月
新微半导体推出650V E-mode氮化镓功率工艺代工平台
3月10日，上海新微半导体正式推出650V硅基氮化镓增强型功率工艺代工平台。该平台采用先进P帽层栅极与化学机械平坦化钨栓/铝集成电路互联工艺，实现低表面态与高可靠性，实现了氮化镓形貌的精准控制与低表面态。HTRB/HTGB/DHTOL等关键可靠性指标符合JEDEC标准。采用该平台制造的器件性能突出，比导通电阻350mΩ・mm²，品质因数300mΩ・nC，兼具低开关损耗与低导通损耗，有效提升产品性能并控制成本。
英诺赛科 (02577.HK) 正式纳入港股通！
3月10日，全球氮化镓技术领军企业英诺赛科（股票代码：02577）正式纳入港股通标的证券名单。这一举措不仅彰显了资本市场对氮化镓产业前景的坚定信心，更标志着英诺赛科作为“中国芯”代表的国际竞争力获得广泛认可。
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台湾技术派GaNrich嘉和半导体GaN on Sapphire 让硅基用户秒切氮化镓方案
充电头网3月12日消息，台湾嘉和半导体股份有限公司（GaNrich Semiconductor Corp. 以下简称：GaNrich）凭借独特的蓝宝石基氮化镓（GaN on Sapphire）技术，推出可无缝替换传统硅基与碳化硅组件的氮化镓功率器件，一举打破行业桎梏，为AI服务器、工业电源、新能源等领域带来颠覆性解决方案。
GaNric 推出的“GaN on Sapphire”技术，采用独特的垂直结构设计，结合蓝宝石优异的散热性能与绝缘特性，可以有效隔离主控芯片与其他封装元件之间的干扰，实现了：无缝替换，系统升级零门槛、高可靠性，突破散热瓶颈、成本优势，加速市场化普及、主动保护机制，智能防御异常工况四项技术创新。
AOS万国半导体推出GTPAK与GLPAK两款全新MOSFET封装方案！
充电头网3月15号消息，全球领先的功率半导体供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（纳斯达克代码：AOSL，以下简称：AOS）宣布推出两款先进的表面贴片封装选项 ——GTPAK与GLPAK。该技术将率先应用于 AOGT66909 和 AOGL66901 MOSFET器件中，通过优化封装设计，助力客户在提升系统性能的同时降低复杂度与成本。
目前，AOGT66909与AOGL66901已全面投入量产，交货周期为14-16周，千片单价分别为3.6美元与3.15美元。此次发布的新型封装技术，将为下一代电动车动力系统、工业伺服驱动等领域提供关键技术支撑。随着全球能源转型加速，AOS 将持续加大研发投入，以技术创新推动绿色能源应用高效发展。
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英诺赛科与EPC发起的专利侵权案中取得完全胜利
2025年3月18日，美国专利局（USPTO）对EPC涉案专利（US’294号专利） 作出最终裁定，判决该专利所有权利要求均无效且应被撤销，标志着英诺赛科与EPC发起的专利侵权案中取得完全胜利！令英诺赛科旗下产品进口美国不受限制。
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致能蓝宝石衬底技术的氮化镓功率器件成功完成高温CCM 5000小时的严苛测试
充电头网3月26日消息，致能在第三代半导体氮化镓功率器件领域取得重大突破，其采用蓝宝石衬底技术的氮化镓功率器件成功完成高温CCM 5000小时的严苛测试，标志致能半导体在该领域达到了新的高度，为行业发展注入了强大动力。
致能高可靠低成本的氮化镓被国内头部的手机终端厂家、工业电源、微逆电源、音箱，车载等客户广泛使用及量产。同时晶圆也与国内头部IC厂家进行合封批量出货，650V/900V/1200V晶圆得到了客户广泛认可。
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